场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET），是一种基于电场效应而工作的半导体器件。由于其体积小、功耗低、速度快等优点，FET已经成为了现代电子学/计算机科学领域中最常用、最重要的器件之一。
1959年，Bell实验室的Shokley等人首次提出不同于双极性晶体管的工作原理，发明了场效应管。1971年，Intel推出了世界上第一款商业微处理器——4004，标志着第四代计算机的到来。这款芯片采用了FET技术，不仅在当时的计算机界造成了轰动，更见证了场效应管的重要地位。
时至今日，场效应管已经广泛应用于各个领域，如放大电路、开关电路、DC-DC转换器、PLL电路、振荡器、FIR滤波器等。同时，FET的基础理论研究和纳米加工技术不断发展，为新一代电子器件的研发提供了坚实的基础。
作为半导体器件的一种，场效应管在电力、电信、电子、信息、计算机、生物医学等多个领域都有着重要的应用。其中，以硅谷为代表的电子信息领域凭借FET等技术在全球较高地位。可见，场效应管作为现代半导体技术的代表，不仅在发展和创新上有着无比的潜力，也在推动着全球科技的进步和发展。
