2021年4月第10期物理学报刊登了多篇和我们息息相关的新研究，以下是其中几篇精选内容。
浅谈霍尔效应的实验与应用：霍尔效应是晶体材料中一种重要的电学性质，为解释其基本原理与应用可通过基本的实验现象与分析入手。该文针对实验历程中的常见问题进行了总结，并从应用角度探讨了该效应在电学元器件、电源管理和测量中的应用。
钙钛社示弱外场效应的实验与分析：钙钛矿材料非常适合作为光电器件的基础材料，但在实际应用中其光电性能容易受到环境影响。该文通过一系列实验研究，发现了外界温度、磁场、光照度等因素对钙钛礼的光电转换性能的影响，并通过数学模型进行了详尽的分析与预测。
利用量子比特实现量子计算的优化：制造可靠的量子比特是量子计算发展中的关键之一，但实现该目标需要解决许多挑战性难题。该文利用多年实验积累的经验和技术，对量子比特的相关研究进行了全面的分析和总结，并探索了常用的优化算法在量子计算中的应用。
以上仅为该期物理学报的部分内容精选，感兴趣的读者可以前往期刊官网进行在线阅读与下载。
物理学报最新研究：新型材料在热电池中的应用
近日由物理学报发表的一项研究显示，一种新型材料在热电池中的应用表现出了出色的性能。
据悉，该材料为十氢萘并呱吨（HNT），拥有较高的热电转换效率和较低的热导率，能够有效提高热电池的能量转化效率。
此次研究由清华大学物理学院进行，对HNT的热电性能和热电池性能进行了测试和分析，研究人员还发现，与传统热电材料铋碲（Bi2Te3）相比，HNT的热电功率因子（ZT）高达3.6，远高于Bi2Te3的0.9。
研究人员表示，这项研究为热电池的应用提供了一种新的材料选择，未来有望在节能减排等领域发挥巨大作用。
中国物理学报最新论文：控制量子隧穿的长与短
中国物理学报最新发表的一份论文显示，他们设想并演示了一种新型开关，该开关可以控制在材料中发生的量子隧穿。这可能对电子设备、量子计算和纳米电子学的未来发展带来深远影响。
研究人员提出了一种新概念，即通过在一条通道的后半段添加一个元素来实现控制隧穿的延迟。他们在分子器件中使用金属-有机框架，并为不同器件设置了不同的通道长度。研究人员利用单电子转移测量方法观察到了数百纳秒延迟。
该新技术可将电子转移从9自由度转变为10自由度问题，因此非常适合其它量子开关技术。这种技术有助于开发可编程的分子开关电路，以及更革命性的量子信息处理设备。
